带隙对应波长计算器
由带隙能量求吸收/发射波长
Band-Gap Photon Wavelength
Enter the band-gap energy E_g (eV) of a semiconductor or material and compute the corresponding absorbed or emitted photon wavelength (nm) via λ = hc/E_g, to judge emitted color or excitable wavelength.
📐 计算公式
λ = h·c/E_g
输入带隙能量 E_g（eV），求对应光子波长。
📌 计算说明
- λ = hc/E_g。
- Si 带隙 1.12eV → 约 1107 nm（红外）。
📚 深度解析：带隙对应光子波长
💡 常见使用场景
- 半导体能吸收的最长波长估算。
- 光伏材料截止波长设计。
- 判断材料对光的响应范围。
硅带隙 1.12eV
λ=hc/E_g=1240eV·nm/1.12eV=1107nm。硅只能吸收波长<1107nm 的光。
砷化镓 1.42eV
λ=1240/1.42=873nm，对应近红外，适合红光合金电池。
❓ 常见问题（FAQ）
- 1240 常数哪来的？
- hc≈1240 eV·nm，故 λ(nm)=1240/E(eV)，便于能带-波长换算。
- 带隙小吸收范围更宽？
- 是；带隙越小截止波长越长，可吸收更多太阳光（但电压更低）。